TSMC stelt 350 miljoen dollar veilig voor hoog NA EUV-systeem voor 1,4 nm chipontwikkeling

Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation (TSMC) staat op het punt te verwerven ASML's nieuwste High NA EUV-lithografiesysteem tegen het einde van 2024, wat een stap voorwaarts betekent voor de halfgeleiderindustrie. Aan de machine, die bekend staat als de Twinscan EXE:5000, hangt een stevig prijskaartje van ongeveer $350 miljoen en hij zit boordevol geavanceerde technologie voor het maken van chips.

Dit geavanceerde systeem heeft een indrukwekkende resolutie van 8 nm en gebruikt een EUV-lichtgolflengte van 13,5 nm, waardoor chipmakers kleinere chips kunnen maken en er tot 2,9 keer meer transistors in kunnen proppen dan voorheen. TSMC heeft plannen om deze technologie te gebruiken voor zijn aankomende 1,4 nm (A14) proces, met de hoop dat het in 2027 in massaproductie kan worden genomen.

Intel is al als eerste begonnen met High NA EUV en installeerde eerder in 2024 twee machines in zijn fabriek in Oregon. Samsung zal naar verwachting snel meedoen, waarschijnlijk begin 2025. Op dit moment zijn Intel, Samsung en TSMC de enige bedrijven waarvan bevestigd is dat ze toegang hebben tot de geavanceerde technologie van ASML, voornamelijk omdat Chinese bedrijven er volgens internationale handelsregels niet aan mogen komen.

Hoewel ASML 10-20 bestellingen voor deze machines heeft gemeld, is het niet echt eenvoudig om ze online te brengen. Hun enorme omvang betekent dat fabrikanten hun faciliteiten aanzienlijk moeten upgraden of zelfs nieuwe faciliteiten moeten bouwen. Bovendien hebben deze machines een kleiner beeldveld dan de huidige NA EUV-systemen, wat betekent dat chiparchitecturen opnieuw ontworpen moeten worden.

De investering van TSMC in High NA EUV laat zien dat het bedrijf voorop wil blijven lopen op het gebied van geavanceerde chipproductie, vooral omdat de markt voor AI-chips blijft groeien. Hoewel het nog een paar jaar zal duren voordat massaproductie met deze technologie echt van start gaat, is het toch een stap in de richting van de volgende generatie halfgeleiderproductie.