TSMC is ook geen redder voor Qualcomm: Snapdragon 8+ Gen 1 in de OnePlus 10T op de proef gesteld
Het is geen geheim dat de hoge prestaties van Qualcomm's Snapdragon 8 Gen 1 gepaard gaan met veel afvalwarmte. Dit is te zien aan de zeer sterke warmteontwikkeling in bepaalde reviews (Oppo Find X5, Xiaomi 12,Motorola Edge 30 Pro), met name in benchmarktests waar zowel de CPU als GPU-eenheden van de SOC onder zware stress worden geplaatst. Uiteindelijk leidt dit afvalwarmteprobleem tot sterke prestatiedalingen, wat leidt tot uitgesproken instabiliteit in de 3DMark stresstests.
Dit fenomeen kan deels te wijten zijn geweest aan dynamiek in het productieproces van Samsung, maar onze review van deOnePlus 10Tlaat zien dat de Snapdragon 8+ Gen 1 het probleem van warmteontwikkeling niet fundamenteel heeft opgelost. De hoop in TSMC en zijn 4nm-proces is enigszins vervlogen, althans bij de OnePlus 10T. Hoewel de OnePlus telefoon een nieuw Cryo Velocity Vapor koelsysteem heeft en een efficiëntere SoC in de vorm van de Snapdragon 8+ Gen 1, hebben we een hogere oppervlaktetemperatuur van bijna 47 °C gemeten dan in de 10 Prodit niveau van afvalwarmte wordt ook een probleem in termen van systeemstabiliteit omdat de voltage- en oververhittingsbeveiligingsmaatregelen vaak in werking treden
Power Consumption: Geekbench (150 cd/m²)
In termen van efficiëntie, echter, onze metingen tonen aan dat deOnePlus 10Tminder stroom verbruikt dan smartphones met de Snapdragon 8 Gen 1vooral onder belasting is het piekverbruik van minder dan 6 watt aanzienlijk lager dan dat van een 10 Pro, die meer dan 11 watt verbruikt. De verbeterde efficiëntie lijkt echter alleen te gelden voor de Cryo CPU-eenheid, zoals blijkt uit een vergelijking van GeekBench en GFXBench (bij een helderheid van 150 cd/m²) waarden.
Power Consumption: GFX Bench (150 cd/m²)
Alle metingen, gaming tests en benchmark resultaten zijn te vinden in onze uitgebreide review van deOnePlus 10T.
Bron(nen)
Review van de OnePlus 10T
