Snapdragon 8 Gen 4 voor Galaxy wordt mogelijk gemaakt op Samsung's 3GAP-knooppunt; de gewone versie gebruikt TSMC N3E
De komende Snapdragon 8 Gen 3 is zo goed als zeker vervaardigd op TSMC's N4P proces node, waardoor het een theoretisch nadeel heeft ten opzichte van de TSMC N3B-gebaseerde A17 Bionic. Maar de situatie zou volgend jaar complexer kunnen zijn als een recente Tweet van leaker @tech_reve juist is.
Blijkbaar is Qualcomm van plan om dual-source de Snapdragon 8 Gen 4. Eén variant van de SoC, waarschijnlijk bestemd voor algemeen gebruik, zal worden vervaardigd op TSMC N3E. Aan de andere kant zal de Snapdragon 8 Gen 4 voor Galaxy, de Samsung-only versie, worden gemaakt op Samsung Foundries' 3GAP node. Interessant is dat de Dream Team-chip, aka Exynos 2500, zal naar verwachting ook in zijn voetsporen treden.
Hoewel het niet ongebruikelijk is voor OEM's om chips te betrekken van twee verschillende gieterijen, volgde er een ramp (herinner je je Chipgate?) toen Apple dit in 2015 probeerde met de A9. Maar in plaats van dat het grote publiek er last van heeft, worden deze keer alleen Samsung-gebruikers getroffen. Niettemin zal het interessant zijn om te zien hoe de twee Snapdragon 8 Gen 4-varianten het in de echte wereld tegen elkaar opnemen.
Samsung Foundries' minder-dan-stellar staat van dienst maakt het gemakkelijk om hun producten af te doen als inferieur. Het ontwerp van de transistor met volledige poort zou echter kunnen helpen om de enorme prestatie-/thermische/efficiëntiekloof tussen het TSMC-aanbod met vergelijkbare specificaties te overbruggen. Dat, in combinatie met de nieuwe Snapdragon 8 Gen 4's Nuvia CPU-kernen en externe dGPU-ondersteuning, kan het de broodnodige concurrentievoorsprong geven om het op te nemen tegen Apple.
Bron(nen)
