Samsung kondigt 36 Gbps GDDR7-geheugenstandaard aan, wil tegen 2030 V-NAND-opslagoplossingen met 1000 lagen uitbrengen
Samsung presenteerde een nieuwe golf geheugenoplossingen en toekomstplannen om de prestaties voor datacenter-, server-, mobiele, gaming- en automobielmarkten exponentieel te verbeteren. Hoogtepunten van de Samsung Tech Day van dit jaar zijn onder meer de verbeterde capaciteiten voor DDR5 RAM, de aankondiging van de next gen GDDR-standaard en een toekomstvisie voor V-NAND opslagtechnologie.
Voor de DRAM-markt versnelt Samsung het 1b-productieproces, dat dankzij technologieën als High-K schaalbaar is voorbij 10 nm. Het bedrijf zal binnenkort DDR5-dichtheden van 32 Gb per geheugenchip introduceren, een toename van 2x ten opzichte van de bestaande 16 Gb en 33% ten opzichte van 24 Gb-chips. Verder zal de 8,5 Gbps LPDDR5X DRAM-oplossingen voor mobiele telefoons en ultrabooks het komende jaar naar verwachting ook meer ingang vinden. Op maat gemaakte DRAM-oplossingen zoals HBM-PIM, AXDIMM en CXL zullen verder worden ontwikkeld om versnelde verwerking voor AI en neurale netwerktoepassingen mogelijk te maken.
GPU's van de volgende generatie zullen profiteren van sneller RAM, aangezien de Zuid-Koreaanse reus de GDDR7-specificatie heeft aangekondigd met overdrachtssnelheden tot 36 Gbps. Deze nieuwe standaard moet de snelheden met 50% verbeteren ten opzichte van de huidige 24 Gbps GDDR6X chips van Micron die door sommige Nvidia RTX 4000 kaarten worden aangeboden. Met een 384-bits bus kan GDDR7 theoretisch een bandbreedte van 1,7 TB/s bieden, maar een 256-bits bus kan ook nog steeds de grens van 1 TB/s doorbreken.
Last but not least sprak Samsung over verbeteringen voor de V-NAND geheugenchips. 1 Tb TLC V-NAND-chips zullen eind 2022 beschikbaar zijn, en de ontwikkeling voor de negende generatie V-NAND is al aan de gang, met de eerste chips gepland voor productie in 2024. Samsung streeft ernaar tegen 2030 een V-NAND-oplossing met 1000 lagen op de markt te brengen
Bron(nen)
