Infineon debuteert 's werelds dunste silicium wafers met een dikte van 20 micrometer

Infineon Technologies AG kondigde een belangrijke doorbraak aan in de halfgeleiderproductie - ze hebben ultradunne 300mm silicium power wafers gemaakt en verwerkt. Met een dikte van slechts 20 micrometer, ongeveer de breedte van een menselijke haar, vestigen deze wafers een nieuw record op het gebied van dunheid, terwijl ze de prestaties en efficiëntie aanzienlijk verbeteren.

Deze innovatieve wafers, ontwikkeld en geproduceerd door Infineon, zijn slechts half zo dik als de huidige industriestandaard van 40-60 micrometer. Door die extra dikte af te schaven, hebben ze de substraatweerstand met 50 procent verminderd, wat leidt tot een vermogensverlies van meer dan 15 procent in vergelijking met traditionele siliciumwafers.

Het was niet gemakkelijk om tot die ambitieuze dikte van 20 micrometer te komen. De ingenieurs van Infineon moesten een heleboel technische uitdagingen overwinnen. Ze bedachten een nieuwe waferslijpmethode om de metalen stapel te verwerken die de chip op de wafer houdt - die eigenlijk dikker is dan 20 micrometer. Bovendien moesten ze afrekenen met problemen zoals buigen van de wafer en scheidingsproblemen tijdens de assemblage aan de achterkant, om ervoor te zorgen dat de wafers robuust bleven en toch pasten in de bestaande productielijnen van Infineon voor grote volumes.

De ultradunne wafertechnologie is al getest en uitgerold in Infineons geïntegreerde Smart Power Stages voor DC-DC conversie, en deze worden al naar klanten verzonden. Het bedrijf verwacht dat dit energiezuinige ontwerp in de komende drie tot vier jaar de bestaande wafers voor laagspanningsgelijkrichters zal vervangen.

Infineon is van plan om de ultradunne silicium wafer aan het publiek te tonen op Electronica 2024 van 12-15 november in München.