Notebookcheck Logo

DDR5-modules van Micron halen 9200MT/s met EUV-lithografie

Micron onthult zijn 1γ-node DDR5-geheugen met 9200MT/s-snelheden en verbeterde energie-efficiëntie. (Afbeeldingsbron: Micron)
Micron onthult zijn 1γ-node DDR5-geheugen met 9200MT/s-snelheden en verbeterde energie-efficiëntie. (Afbeeldingsbron: Micron)
Micron levert als eerste DDR5-modules die zijn gebouwd met EUV-lithografie op zijn nieuwe 1-gamma-node. De doorbraak levert 15 procent hogere snelheden tot 9200MT/s, terwijl het stroomverbruik met 20 procent daalt en de dichtheid met 30 procent toeneemt.

Micron Technologie is zojuist de eerste geheugenproducent geworden die DDR5-modules, gebouwd op zijn zesde-generatie 10nm-klasse DRAM-knooppunt, ook bekend als 1γ (1-gamma), heeft getest. Voor de allereerste keer gebruikt Micron EUV-lithografie (extreem ultraviolet) in zijn fabricageproces, wat een opmerkelijke winst oplevert op het gebied van snelheid, energie-efficiëntie en productieopbrengst.

Dankzij deze nieuwe aanpak kunnen de 16 GB DDR5 IC's van Micron snelheden tot 9200MT/s bereiken. Dat is een stevige prestatieverbetering van 15 procent ten opzichte van de vorige 1β (1-beta) generatieen dat terwijl het stroomverbruik met meer dan 20 procent is gedaald. Bovendien zorgt de bijgewerkte productietechniek voor een meer dan 30 procent hogere bitdichtheid, wat de kosten kan drukken zodra het productieproces volwassen is.

"Microns expertise in het ontwikkelen van eigen DRAM-technologieën, gecombineerd met ons strategisch gebruik van EUV-lithografie, heeft geresulteerd in een robuuste portefeuille van geavanceerde 1γ-gebaseerde geheugenproducten die klaar zijn om het AI-ecosysteem vooruit te stuwen," zegt Scott DeBoer, Microns executive vice president en chief technology & products officer.

Micron is van plan om de 1γ-node te gebruiken voor een breed scala aan toekomstige geheugenoplossingen, waaronder:

Datacentertoepassingen: Tot 15 procent snellere prestaties bieden, samen met een betere energie-efficiëntie om het stroomverbruik en de warmte onder controle te houden.

Mobiele apparaten: LPDDR5X-varianten ondersteunen geavanceerde AI-ervaringen op uw smartphone of tablet.

Automobielsystemen: LPDDR5X met een snelheid tot 9600MT/s zal de capaciteit vergroten, de levensduur van producten verlengen en betere prestaties leveren.

Zowel AMD als Intel zijn al begonnen met het valideren van de nieuwe DDR5-lijn van Micron. Amit Goel, Corporate VP of Server Platform Solutions Engineering bij AMD, benadrukte hoe deze samenwerking aansluit bij de inspanningen van het bedrijf om zijn EPYC-processoren en consumentgerichte hardware te blijven verfijnen. Ondertussen vestigde Dr. Dimitrios Ziakas van Intel de aandacht op de verbeterde energie-efficiëntie en hogere dichtheid die ten goede zullen komen aan serveromgevingen en AI-gestuurde pc's.

Momenteel produceert Micron deze 1γ DRAM-chips in zijn faciliteiten in Japan, waar het bedrijf in 2024 zijn eerste EUV-lithografiesysteem introduceerde. Naarmate de productie toeneemt, is Micron van plan om extra EUV-apparatuur te installeren op zijn locaties in zowel Japan als Taiwan.

Bron(nen)

Micron (in het Engels)

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> Overzichten en testrapporten over laptops en mobieltjes > Nieuws > Nieuws Archief > Nieuws archieven 2025 02 > DDR5-modules van Micron halen 9200MT/s met EUV-lithografie
Nathan Ali, 2025-02-27 (Update: 2025-02-27)