Berekeningsaanpak van Samsung richt zich op 18 chalcogenidematerialen voor next-gen SOM-geheugen

Met een slimme aanpak zet Samsung vaart achter de ontwikkeling van Selector-Only Memory (SOM)-technologiehet bedrijf gebruikt geavanceerde computermodellen om de beste chalcogenidematerialen voor het volgende generatie geheugen te vinden. Hun onderzoeksteam heeft meer dan 4000 verschillende materiaalcombinaties bekeken en er 18 uitgekozen die veelbelovend lijken voor tests in de praktijk.

De SOM-technologie zou een grote sprong voorwaarts kunnen betekenen in het geheugenontwerp, omdat het het beste van twee werelden combineert: het heeft de niet-vluchtige voordelen van flash-opslag en behoudt de snelheid van DRAM. Het maakt gebruik van chalcogenide materialen om zowel als geheugencellen als selectors te fungeren, waardoor er geen aparte transistors meer nodig zijn zoals in de meer gangbare phase-change of resistieve RAM-opstellingen.

Het team gebruikte complexe simulaties om de bindingseigenschappen te onderzoeken, hoe stabiel de materialen zijn bij hitte en hoe ze zich elektrisch gedragen. Ze richtten zich op zaken als hoeveel de drempelspanning verschuift en hoe stabiel het geheugenvenster is, wat in feite betekent hoe goed het de aan- en uittoestanden van elkaar onderscheidt.

Samsung zal deze bevindingen in december presenteren op de International Electron Devices Meeting in San Francisco. Ze geloven dat deze computationele benadering hen naar materialen met hoge prestaties heeft geleid die traditionele laboratoriumtests misschien over het hoofd hebben gezien.

Dit alles bouwt voort op eerder werk van Samsung op IEDM 2023, waar ze een op OTS gebaseerde SOM van 64 Gbit lieten zien met piepkleine geheugencellen van 16 nm.